第1年
MT46H64M32LFBQ-48動態隨機存取存儲
MAX3237EEAI和MAX3160EEAP驅動器
傳感器AS5600/SHT11/AEDR-8300
HMC485MS8GETR和MAX19999ETX 混頻器
EP4CE15F23I7N/EP4CE55F29I7N
TPS7A4001DGNR 和 IPW65R080CFDA
CBTL1612A1/1612A1和PN80V/80V15
EP2S90F1020C4N/EP2S15F484C5N
CYW43340XKUBGT和CC2630F128RGZ
DS12885S和9ZXL0831AKLF集成電路IC
一、STFU9N65M2 ：
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 650V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 5A（Tc）
驅動電壓 10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On 900 毫歐 @ 2.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）4V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg） 10nC @ 10V
Vgs ±25V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss） 315pF @ 100V
功率耗散 20W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-220FP
封裝/外殼 TO-220-3 整包
二、IRLB3036PBF ：
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 60V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 195A（Tc）
驅動電壓 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On2.4 毫歐 @ 165A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th） 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg） 140nC @ 4.5V
Vgs ±16V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss） 11210pF @ 50V
功率耗散 380W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-220AB
封裝/外殼 TO-220-3
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